N-kanal transistor SI4840BDY, 9.9A, 12.4A, 5uA, 0.0074 Ohms, SO, SO-8, 40V. ID (T=100°C): 9.9A. ID (T=25°C): 12.4A. Idss (maks.): 5uA. On-resistance Rds On: 0.0074 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: ingen. Antal terminaler: 8:1. C (i): 2000pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 260pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja. Td(fra): 25 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Vishay. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14