N-kanal transistor SKM100GAR123D, 90A, andre, andre, 600V

N-kanal transistor SKM100GAR123D, 90A, andre, andre, 600V

Antal
Enhedspris
1-2
833.34kr
3-7
809.07kr
8-15
765.57kr
16+
726.42kr
Udsolgt
Lassen Sie sich per E-Mail benachrichtigen, wenn dieses Produkt wieder auf Lager ist!

N-kanal transistor SKM100GAR123D, 90A, andre, andre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hus: andre. Hus (i henhold til datablad): andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 7. Bemærk: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). C (i): 5000pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High Power IGBT. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 150A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 100A. Montering / installation: -. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Omkostninger): 720pF. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(fra): 450 ns. Td(on): 30 ns. Originalt produkt fra producenten: Semikron. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SKM100GAR123D
24 parametre
Ic(T=100°C)
90A
Hus
andre
Hus (i henhold til datablad)
andre
Kollektor/emitterspænding Vceo
600V
Antal terminaler
7
Bemærk
Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz)
C (i)
5000pF
CE-diode
ja
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
High Power IGBT
Germanium diode
ingen
Ic (puls)
150A
Kanaltype
N
Kollektorstrøm
100A
Mætningsspænding VCE (sat)
2.3V
Omkostninger)
720pF
Port/emitter spænding VGE
20V
Port/emitterspænding VGE(th) min.
4.5V
Port/emitterspænding VGE(th)max.
6.5V
RoHS
ja
Spec info
Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed)
Td(fra)
450 ns
Td(on)
30 ns
Originalt produkt fra producenten
Semikron