N-kanal transistor SKM100GAR123D, 90A, andre, andre, 600V

Teknisk beskrivelse af produktet (SKM100GAR123D):

N-kanal transistor SKM100GAR123D, 90A, andre, andre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Hus: andre. Hus (i henhold til datablad): andre. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Antal terminaler: 7. Bemærk: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). C (i): 5000pF. CE-diode: ja. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: High Power IGBT. Germanium diode: ingen. Ic (puls): 150A. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 100A. Montering / installation: -. Mætningsspænding VCE (sat): 2.3V. Omkostninger): 720pF. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. RoHS: ja. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(fra): 450 ns. Td(on): 30 ns