N-kanal transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

N-kanal transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V

Antal
Enhedspris
1-4
39.50kr
5-24
35.61kr
25-49
32.53kr
50-99
29.88kr
100+
26.30kr
Antal på lager: 50

N-kanal transistor SPA16N50C3, 10A, 16A, 100uA, 0.25 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 560V. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 560V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. Bemærk: Fuldstændig isoleret pakke (2500VAC /1 minut). C (i): 1600pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Enestående dv/dt-kapacitet. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 16N50C3. Omkostninger): 800pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 34W. RoHS: ja. Spec info: capacités effectives ultra faibles. Td(fra): 50 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

SPA16N50C3
33 parametre
ID (T=100°C)
10A
ID (T=25°C)
16A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.25 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP
Spænding Vds (maks.)
560V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
Bemærk
Fuldstændig isoleret pakke (2500VAC /1 minut)
C (i)
1600pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Enestående dv/dt-kapacitet
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
48A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
16N50C3
Omkostninger)
800pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
34W
RoHS
ja
Spec info
capacités effectives ultra faibles
Td(fra)
50 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
420 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.9V
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies