N-kanal transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

N-kanal transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V

Antal
Enhedspris
1-4
8.89kr
5-49
7.35kr
50-99
6.20kr
100+
5.57kr
Antal på lager: 455

N-kanal transistor SPD09N05, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. ID (T=100°C): 6.5A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.093 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 55V. Antal terminaler: 2. C (i): 215pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: dv/dt vurderet forbedringstilstand. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 37A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: SPD09N05. Omkostninger): 75pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 24W. Td(fra): 30 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: SIPMOS Power-Transistor. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SPD09N05
27 parametre
ID (T=100°C)
6.5A
ID (T=25°C)
9.2A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.093 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
55V
Antal terminaler
2
C (i)
215pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
dv/dt vurderet forbedringstilstand
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.1uA
Id(imp)
37A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
SPD09N05
Omkostninger)
75pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
24W
Td(fra)
30 ns
Td(on)
15 ns
Teknologi
SIPMOS Power-Transistor
Trr-diode (min.)
50 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies