N-kanal transistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V

N-kanal transistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V

Antal
Enhedspris
1-4
22.03kr
5-24
20.26kr
25-49
18.48kr
50-99
16.73kr
100+
14.67kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 49

N-kanal transistor SPP04N60C3, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 85m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220-3-1. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 490pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 13.5A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 04N60C3. Omkostninger): 160pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja. Spec info: Enestående dv/dt-kapacitet. Td(fra): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SPP04N60C3
32 parametre
ID (T=100°C)
2.8A
ID (T=25°C)
4.5A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
85m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220-3-1
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
490pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
13.5A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
04N60C3
Omkostninger)
160pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
50W
RoHS
ja
Spec info
Enestående dv/dt-kapacitet
Td(fra)
58.5 ns
Td(on)
6 ns
Teknologi
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
3.9V
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til SPP04N60C3