N-kanal transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

N-kanal transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
24.29kr
5-24
21.28kr
25-49
19.46kr
50-99
18.19kr
100+
16.19kr
Antal på lager: 21

N-kanal transistor SPP06N80C3, 3.8A, 6A, 50uA, 0.78 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 800V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 0.78 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220-3-1. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 785pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 10uA. Id(imp): 18A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 06N80C3. Omkostninger): 33pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. RoHS: ja. Td(fra): 72 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SPP06N80C3
30 parametre
ID (T=100°C)
3.8A
ID (T=25°C)
6A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
0.78 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220-3-1
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
785pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
10uA
Id(imp)
18A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
06N80C3
Omkostninger)
33pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
83W
RoHS
ja
Td(fra)
72 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
520 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
2.1V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies