N-kanal transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

N-kanal transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
24.20kr
5-24
21.05kr
25-49
19.01kr
50+
16.97kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 72

N-kanal transistor SPP07N60S5, 4.6A, 7.3A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.54 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 30pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ekstrem dv/dt-bedømt Ultra lav effektiv kapacitans. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 14.6A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 07N60S5. Omkostninger): 55pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 83W. Produktionsdato: 2015/05. RoHS: ja. Spec info: COOL MOS TRANSISTOR. Td(fra): 170 ns. Td(on): 120ns. Teknologi: Cool MOS™ Power Transistor. Trr-diode (min.): 750 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5.5V. Vgs (th) min.: 3.5V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SPP07N60S5
33 parametre
ID (T=100°C)
4.6A
ID (T=25°C)
7.3A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.54 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
30pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ekstrem dv/dt-bedømt Ultra lav effektiv kapacitans
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
14.6A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
07N60S5
Omkostninger)
55pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
83W
Produktionsdato
2015/05
RoHS
ja
Spec info
COOL MOS TRANSISTOR
Td(fra)
170 ns
Td(on)
120ns
Teknologi
Cool MOS™ Power Transistor
Trr-diode (min.)
750 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5.5V
Vgs (th) min.
3.5V
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til SPP07N60S5