N-kanal transistor SPP11N60C3, 7A, 11A, 100uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.34 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1200pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ekstrem dv/dt vurderet høj spidsstrømskapacitet. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.1uA. Id(imp): 33A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 11N60C3. Omkostninger): 390pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 44 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Cool Mos POWER trafnsistor. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.9V. Vgs (th) min.: 2.1V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14