N-kanal transistor SPP11N60S5, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.34 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220-3-1. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1460pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ekstrem dv/dt-bedømt ultra lav gate-opladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 25uA. Id(imp): 22A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 11N60S5. Omkostninger): 610pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 150 ns. Td(on): 130 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 650ms. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3.5V. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14