N-kanal transistor SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

N-kanal transistor SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
40.82kr
5-9
36.13kr
10-24
30.30kr
25+
27.19kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 116

N-kanal transistor SPP17N80C2, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Antal terminaler: 3. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ekstrem dv/dt-bedømt ultra lav gate-opladning. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0.5uA. Id(imp): 51A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: SPP17N80C2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 208W. Teknologi: Cool Mos. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Infineon Technologies. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
SPP17N80C2
21 parametre
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
17A
Idss (maks.)
250uA
On-resistance Rds On
0.25 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
800V
Antal terminaler
3
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ekstrem dv/dt-bedømt ultra lav gate-opladning
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
0.5uA
Id(imp)
51A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
SPP17N80C2
Pd (Strømafledning, maks.) )
208W
Teknologi
Cool Mos
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Infineon Technologies

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til SPP17N80C2