N-kanal transistor SSS7N60A, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1150pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: N MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 28A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 130pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. Td(fra): 72 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: Power-MOSFET (F). Trr-diode (min.): 415 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Samsung. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14