N-kanal transistor STB120N4F6, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 3.5m Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 40V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 3850pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Skift applikationer, Automotive. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 120N4F6. Omkostninger): 650pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 40 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: STripFET™ VI Power MOSFET. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14