N-kanal transistor STB12NM50ND, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.29 Ohms. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-263 ). Spænding Vds (maks.): 550V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 850pF. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: B12NM50ND. Omkostninger): 48pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (med hurtig diode). Td(fra): 40 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: FDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 122 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14