N-kanal transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

N-kanal transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V

Antal
Enhedspris
1-4
7.94kr
5-24
6.73kr
25-49
5.90kr
50-99
5.36kr
100+
4.59kr
Antal på lager: 107

N-kanal transistor STD10NF10, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. ID (T=100°C): 9A. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.115 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( D-PAK ). Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 470pF. Funktion: SWITCHING APPLICATION. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D10NF10. Omkostninger): 70pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja. Td(fra): 32 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: Lav portopladning STRipFET™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
STD10NF10
29 parametre
ID (T=100°C)
9A
ID (T=25°C)
13A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.115 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( D-PAK )
Spænding Vds (maks.)
100V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
470pF
Funktion
SWITCHING APPLICATION
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
D10NF10
Omkostninger)
70pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
50W
RoHS
ja
Td(fra)
32 ns
Td(on)
16 ns
Teknologi
Lav portopladning STRipFET™ II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
90 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics