N-kanal transistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V

N-kanal transistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V

Antal
Enhedspris
1-4
16.42kr
5-24
13.85kr
25-49
12.14kr
50-99
11.24kr
100+
9.99kr
Ækvivalens tilgængelig
Antal på lager: 42

N-kanal transistor STD10NM60N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.53 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 540pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Ekstrem dv/dt-bedømt Ultra lav effektiv kapacitans. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 32A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 10NM60N. Omkostninger): 44pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja. Td(fra): 32 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Trr-diode (min.): 315 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STD10NM60N
31 parametre
ID (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
10A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.53 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
540pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Ekstrem dv/dt-bedømt Ultra lav effektiv kapacitans
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
32A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
10NM60N
Omkostninger)
44pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
70W
RoHS
ja
Td(fra)
32 ns
Td(on)
10 ns
Teknologi
Cool Mos POWER transistor
Trr-diode (min.)
315 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics

Tilsvarende produkter og/eller tilbehør til STD10NM60N