N-kanal transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

N-kanal transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V

Antal
Enhedspris
1-4
19.86kr
5-24
17.29kr
25-49
15.18kr
50-99
13.62kr
100+
11.44kr
Antal på lager: 16

N-kanal transistor STD13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ). Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 2. C (i): 790pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 13NM60N. Omkostninger): 70pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja. Td(fra): 30 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

STD13NM60N
29 parametre
ID (T=100°C)
6.93A
ID (T=25°C)
11A
Idss (maks.)
100uA
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK )
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
2
C (i)
790pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
44A
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
13NM60N
Omkostninger)
70pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
90W
RoHS
ja
Td(fra)
30 ns
Td(on)
3 ns
Teknologi
MDmesh™ II Power MOSFET
Trr-diode (min.)
290 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics