N-kanal transistor STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

N-kanal transistor STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V

Antal
Enhedspris
1-4
10.80kr
5-49
8.93kr
50-99
7.54kr
100+
6.77kr
Antal på lager: 415

N-kanal transistor STD3NK80ZT4, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 50mA. On-resistance Rds On: 3.8 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 2. C (i): 485pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltype: N. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 2000. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: D3NK80Z. Omkostninger): 57pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja. Td(fra): 36ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
STD3NK80ZT4
32 parametre
ID (T=100°C)
1.57A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (maks.)
50mA
On-resistance Rds On
3.8 Ohms
Hus
D-PAK ( TO-252 )
Hus (i henhold til datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
2
C (i)
485pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
10A
Kanaltype
N
Konditionering
rulle
Konditioneringsenhed
2000
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
D3NK80Z
Omkostninger)
57pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
70W
RoHS
ja
Td(fra)
36ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
384 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics