N-kanal transistor STD5N52K3, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. ID (T=100°C): 2.77A. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252-3. Spænding Vds (maks.): 525V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal kanaler: 1. C (i): 545pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Skift af applikationer, Gate-opladning minimeret, Lav IDSS. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30V. IDss (min): 5uA. Id(imp): 17.6A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 5N52K3. Omkostninger): 45pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: Enhancement type. Td(fra): 29 ns. Td(on): 9 ns. Teknologi: SuperMESH3™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 240 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14