N-kanal transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

N-kanal transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
27.41kr
5-24
23.84kr
25-49
20.12kr
50+
18.20kr
Antal på lager: 193

N-kanal transistor STF9NM60N, 4A, 6.5A, 100mA, 0.63 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 100mA. On-resistance Rds On: 0.63 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 452pF. Funktion: Lav indgangskapacitans og gateopladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1mA. Id(imp): 26A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 9NM60N. Omkostninger): 30pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 26A. Td(fra): 52.5 ns. Td(on): 28 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 324 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

STF9NM60N
32 parametre
ID (T=100°C)
4A
ID (T=25°C)
6.5A
Idss (maks.)
100mA
On-resistance Rds On
0.63 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO-220FP
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
452pF
Funktion
Lav indgangskapacitans og gateopladning
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1mA
Id(imp)
26A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
9NM60N
Omkostninger)
30pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
25W
RoHS
ja
Spec info
ID pulse 26A
Td(fra)
52.5 ns
Td(on)
28 ns
Teknologi
MDmesh™ II Power MOSFET
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
324 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics