N-kanal transistor STH8NA60FI, 3.2A, 5A, 250uA, 1.5 Ohms, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 600V. ID (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 250uA. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. Bemærk: Viso 4000V. C (i): 1350pF. Funktion: hurtig effekt MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 25uA. Id(imp): 32A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: H8NA60FI. Omkostninger): 175pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Td(fra): 16 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: Forbedringstilstand. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 3.75V. Vgs (th) min.: 2.25V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14