N-kanal transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

N-kanal transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V

Antal
Enhedspris
1-4
25.99kr
5-9
22.53kr
10-24
20.30kr
25-49
18.97kr
50+
16.91kr
Antal på lager: 44

N-kanal transistor STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 80V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 5955pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: skifte kredsløb. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): -. Id(imp): 400A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 100N8F6. Omkostninger): 244pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 176W. RoHS: ja. Td(fra): 103 ns. Td(on): 33 ns. Teknologi: STripFET™ F6 technology. Trr-diode (min.): 38 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
STP100N8F6
30 parametre
ID (T=100°C)
70A
ID (T=25°C)
100A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.008 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
80V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
5955pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
skifte kredsløb
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
Id(imp)
400A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
100N8F6
Omkostninger)
244pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
176W
RoHS
ja
Td(fra)
103 ns
Td(on)
33 ns
Teknologi
STripFET™ F6 technology
Trr-diode (min.)
38 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics