N-kanal transistor STP110N8F6, TO-220
Antal
Enhedspris
1-4
30.15kr
5-9
21.08kr
10-19
19.71kr
20-49
18.87kr
50+
18.09kr
| Antal på lager: 1 |
N-kanal transistor STP110N8F6, TO-220. Hus: TO-220. Driftstemperatur: -55...175°C. Drænkildespænding: 80V. Effekt: 200W. Gate-source spænding: ±20V. Montering / installation: THT. Oplade: 150nC. Polaritet: unipolar. RoHS: ja. Teknologi: STripFET. Type transistor: N-MOSFET. Tøm strøm: 110A. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14
STP110N8F6
13 parametre
Hus
TO-220
Driftstemperatur
-55...175°C
Drænkildespænding
80V
Effekt
200W
Gate-source spænding
±20V
Montering / installation
THT
Oplade
150nC
Polaritet
unipolar
RoHS
ja
Teknologi
STripFET
Type transistor
N-MOSFET
Tøm strøm
110A
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics