N-kanal transistor STP120NF10, 100V, 0.009 Ohms, TO-220, 77A, 110A, 10uA, TO-220, 100V. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.009 Ohms. Hus: TO-220. ID (T=100°C): 77A. ID (T=25°C): 110A. Idss (maks.): 10uA. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 100V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 5200pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Effekt: 300W. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 440A. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 110A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P120NF10. Omkostninger): 785pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 312W. RoHS: ja. Td(fra): 132 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: STripFET™ II Power MOSFET. Trr-diode (min.): 152 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14