N-kanal transistor STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V

N-kanal transistor STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V

Antal
Enhedspris
1-4
29.69kr
5-24
26.28kr
25-49
22.18kr
50+
20.06kr
Antal på lager: 47

N-kanal transistor STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.3 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 550V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1000pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 48A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P12NM50. Omkostninger): 250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja. Td(on): 20 ns. Teknologi: MDmesh Power MOSFET. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14

Teknisk dokumentation (PDF)
STP12NM50
30 parametre
ID (T=100°C)
7.5A
ID (T=25°C)
12A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.3 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
550V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1000pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
Funktion
HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
48A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P12NM50
Omkostninger)
250pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
160W
RoHS
ja
Td(on)
20 ns
Teknologi
MDmesh Power MOSFET
Trr-diode (min.)
270 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics