N-kanal transistor STP13NM60N, 6.93A, 11A, 100uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 6.93A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.28 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 790pF. Funktion: Lav indgangskapacitans og gateopladning. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 44A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 13NM60N. Omkostninger): 60pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja. Spec info: ID pulse 44A. Td(fra): 30 ns. Td(on): 3 ns. Teknologi: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 290 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14