N-kanal transistor STP26NM60N, 12.6A, 20A, 100uA, 0.135 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.135 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1800pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: skifte kredsløb. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 26NM60N. Omkostninger): 115pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja. Spec info: Lav indgangskapacitans og gateopladning. Td(fra): 13 ns. Td(on): 85 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14