N-kanal transistor STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 3.3 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 400pF. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. GS-beskyttelse: ingen. IDss (min): 1uA. Id(imp): 13.2A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P3NB60. Omkostninger): 57pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Td(fra): 11 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerMESH™ MOSFET. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14