N-kanal transistor STP3NK80Z, 1.57A, 2.5A, 50uA, 3.8 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 3.8 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 485pF. Funktion: meget højt dv/dt-forhold til skift af applikationer. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 10A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P3NK80Z. Omkostninger): 57pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Td(fra): 36ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 22:14