N-kanal transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V

N-kanal transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
16.65kr
5-49
14.81kr
50-99
13.55kr
100+
12.55kr
Forældet produkt, vil snart blive fjernet fra kataloget
Udsolgt

N-kanal transistor STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 700pF. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. GS-beskyttelse: ingen. IDss (min): 1uA. Id(imp): 16A. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 95pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Td(fra): 12 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: PowerMESH MOSFET. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STP4NB80
23 parametre
ID (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
4A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
3 Ohms
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
700pF
Funktion
HIGH Current, HIGH Speed Switching
GS-beskyttelse
ingen
IDss (min)
1uA
Id(imp)
16A
Kanaltype
N
Mængde pr tilfælde
1
Omkostninger)
95pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
100W
Td(fra)
12 ns
Td(on)
14 ns
Teknologi
PowerMESH MOSFET
Trr-diode (min.)
600 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics