N-kanal transistor STP55NE06, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.019 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 3050pF. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P55NE06. Omkostninger): 380pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. RoHS: ja. Td(on): 30 ns. Teknologi: effekt MOSFET transistor. Temperatur: +175°C. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45