N-kanal transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

N-kanal transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Antal
Enhedspris
1-4
10.86kr
5-24
9.10kr
25-49
8.02kr
50-99
7.22kr
100+
6.16kr
Antal på lager: 160

N-kanal transistor STP55NF06L, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1700pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 220A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P55NF06L. Omkostninger): 300pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 95W. RoHS: ja. Td(fra): 40ms. Td(on): 20ms. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 1.7V. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STP55NF06L
31 parametre
ID (T=100°C)
39A
ID (T=25°C)
55A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.016 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
60V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1700pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
16V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
220A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P55NF06L
Omkostninger)
300pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
95W
RoHS
ja
Td(fra)
40ms
Td(on)
20ms
Teknologi
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
1.7V
Vgs (th) min.
1V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics