N-kanal transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

N-kanal transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V

Antal
Enhedspris
1-4
23.77kr
5-24
21.35kr
25-49
19.43kr
50-99
17.80kr
100+
15.59kr
Antal på lager: 5

N-kanal transistor STP62NS04Z, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maks.): 62A. On-resistance Rds On: 12.5m Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 33V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1330pF. Funktion: fuldt beskyttet. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Id(imp): 248A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P62NS04Z. Omkostninger): 420pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. RoHS: ja. Td(fra): 41 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STP62NS04Z
30 parametre
ID (T=100°C)
37.5A
ID (T=25°C)
62A
Idss
0.01mA
Idss (maks.)
62A
On-resistance Rds On
12.5m Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
33V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1330pF
Funktion
fuldt beskyttet
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
10V
Id(imp)
248A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P62NS04Z
Omkostninger)
420pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
110W
Port/kildespænding (fra) min.
2V
RoHS
ja
Td(fra)
41 ns
Td(on)
13 ns
Teknologi
MESH OVERLAY™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
45 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics