N-kanal transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

N-kanal transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V

Antal
Enhedspris
1-4
21.01kr
5-24
18.71kr
25-49
16.97kr
50-99
15.62kr
100+
13.21kr
Antal på lager: 2

N-kanal transistor STP80NF12, 60A, 80A, 10uA, 0.013 Ohms, TO-220, TO-220, 120V. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.013 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 120V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 4300pF. Driftstemperatur: -55...+175°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 320A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P80NF12. Omkostninger): 600pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja. Td(fra): 134 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STP80NF12
31 parametre
ID (T=100°C)
60A
ID (T=25°C)
80A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.013 Ohms
Hus
TO-220
Hus (i henhold til datablad)
TO-220
Spænding Vds (maks.)
120V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
4300pF
Driftstemperatur
-55...+175°C
Funktion
Højhastighedsskift
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
20V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
320A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P80NF12
Omkostninger)
600pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
300W
RoHS
ja
Td(fra)
134 ns
Td(on)
40 ns
Teknologi
STripFET II POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
155 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics