N-kanal transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

N-kanal transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Antal
Enhedspris
1-4
17.00kr
5-24
14.65kr
25-49
13.04kr
50-99
11.83kr
100+
10.21kr
Antal på lager: 18

N-kanal transistor STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 1.3 Ohms. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220FP. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1320pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 24.8A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: P8NK80ZFP. Omkostninger): 143pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja. Td(fra): 48 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™Power MOSFET. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STP8NK80ZFP
31 parametre
ID (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
6.2A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
1.3 Ohms
Hus
TO-220FP
Hus (i henhold til datablad)
TO220FP
Spænding Vds (maks.)
800V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1320pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
24.8A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
P8NK80ZFP
Omkostninger)
143pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
30W
RoHS
ja
Td(fra)
48 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
SuperMESH™Power MOSFET
Trr-diode (min.)
460 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics