N-kanal transistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

N-kanal transistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
24.67kr
5-9
21.46kr
10-24
18.11kr
25+
16.38kr
Antal på lager: 16

N-kanal transistor STW10NK60Z, 5.7A, 10A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1370pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Beskyttet med Zener Diode. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 36A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W10NK60Z. Omkostninger): 156pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 156W. RoHS: ja. Td(fra): 55 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: SuperMESH ™Power MOSFET. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW10NK60Z
31 parametre
ID (T=100°C)
5.7A
ID (T=25°C)
10A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
0.65 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1370pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Beskyttet med Zener Diode
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
36A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
W10NK60Z
Omkostninger)
156pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
156W
RoHS
ja
Td(fra)
55 ns
Td(on)
20 ns
Teknologi
SuperMESH ™Power MOSFET
Trr-diode (min.)
570 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics