N-kanal transistor STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 800V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 2620pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Forbedret ESD-kapacitet. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 42A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W12NK80Z. Omkostninger): 250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. RoHS: ja. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET. Td(fra): 70 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMESH™ power MOSFET transistor beskyttet af zenerdiode. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45