N-kanal transistor STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

N-kanal transistor STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V

Antal
Enhedspris
1-4
46.59kr
5-14
41.14kr
15-29
37.29kr
30-59
33.91kr
60+
29.94kr
Antal på lager: 30

N-kanal transistor STW20NM60, 12.6A, 20A, 100uA, 0.26 Ohms, TO-247, TO-247, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.26 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 600V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1450pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W20NM60. Omkostninger): 350pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 214W. RoHS: ja. Td(fra): 6 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW20NM60
30 parametre
ID (T=100°C)
12.6A
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.26 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
600V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1450pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
W20NM60
Omkostninger)
350pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
214W
RoHS
ja
Td(fra)
6 ns
Td(on)
25 ns
Teknologi
MDmesh PpwerMOSFET
Trr-diode (min.)
510 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics