N-kanal transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-kanal transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Antal
Enhedspris
1-4
42.61kr
5-14
34.40kr
15-29
38.29kr
30-59
36.47kr
60+
33.08kr
Antal på lager: 51

N-kanal transistor STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: ja. C (i): 1440pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: skifte kredsløb. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: 28N65M2. Omkostninger): 60pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. Td(fra): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Teknologi: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Trr-diode (min.): 384 ns. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW28N65M2
27 parametre
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.15 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
ja
C (i)
1440pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
skifte kredsløb
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
28N65M2
Omkostninger)
60pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
170W
Td(fra)
59 ns
Td(on)
13.4 ns
Teknologi
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Trr-diode (min.)
384 ns
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V