N-kanal transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

N-kanal transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Antal
Enhedspris
1-4
147.87kr
5-9
141.88kr
10-19
136.03kr
20+
130.28kr
Antal på lager: 35

N-kanal transistor STW45NM60, 28A, 45A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. Idss (maks.): 100uA. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 650V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 3800pF. Driftstemperatur: -65...+150°C. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 10uA. Id(imp): 180A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W45NM60. Omkostninger): 1250pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 417W. RoHS: ja. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Td(fra): 16 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Trr-diode (min.): 508 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW45NM60
31 parametre
ID (T=100°C)
28A
ID (T=25°C)
45A
Idss (maks.)
100uA
On-resistance Rds On
0.09 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
650V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
3800pF
Driftstemperatur
-65...+150°C
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
10uA
Id(imp)
180A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
W45NM60
Omkostninger)
1250pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
417W
RoHS
ja
Spec info
Idm--180Ap (pulsed)
Td(fra)
16 ns
Td(on)
30 ns
Teknologi
MDmesh PpwerMOSFET
Trr-diode (min.)
508 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics