N-kanal transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

N-kanal transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V

Antal
Enhedspris
1-4
30.89kr
5-14
26.61kr
15-29
24.12kr
30-59
22.54kr
60+
20.06kr
Antal på lager: 14

N-kanal transistor STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 2.7 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 1000V. Afløbskildebeskyttelse: zener diode. Antal terminaler: 3. C (i): 1154pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Beskyttet med Zener Diode. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 14A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W5NK100Z. Omkostninger): 106pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja. Td(fra): 51.5 ns. Td(on): 22.5 ns. Teknologi: SuperMESH3™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 605 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW5NK100Z
31 parametre
ID (T=100°C)
2.2A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
2.7 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
1000V
Afløbskildebeskyttelse
zener diode
Antal terminaler
3
C (i)
1154pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Beskyttet med Zener Diode
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
14A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
W5NK100Z
Omkostninger)
106pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
125W
RoHS
ja
Td(fra)
51.5 ns
Td(on)
22.5 ns
Teknologi
SuperMESH3™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
605 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics