N-kanal transistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

N-kanal transistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V

Antal
Enhedspris
1-4
21.04kr
5-14
18.13kr
15-29
15.90kr
30-59
14.46kr
60+
12.43kr
Antal på lager: 78

N-kanal transistor STW7NK90Z, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-247, TO-247, 900V. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (maks.): 50uA. On-resistance Rds On: 1.56 Ohms. Hus: TO-247. Hus (i henhold til datablad): TO-247. Spænding Vds (maks.): 900V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 1350pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Beskyttet med Zener Diode. GS-beskyttelse: ja. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. IDss (min): 1uA. Id(imp): 23.2A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: W7NK90Z. Omkostninger): 130pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. RoHS: ja. Td(fra): 20 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
STW7NK90Z
31 parametre
ID (T=100°C)
3.65A
ID (T=25°C)
5.8A
Idss (maks.)
50uA
On-resistance Rds On
1.56 Ohms
Hus
TO-247
Hus (i henhold til datablad)
TO-247
Spænding Vds (maks.)
900V
Afløbskildebeskyttelse
ja
Antal terminaler
3
C (i)
1350pF
Driftstemperatur
-55...+150°C
Funktion
Beskyttet med Zener Diode
GS-beskyttelse
ja
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
IDss (min)
1uA
Id(imp)
23.2A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
W7NK90Z
Omkostninger)
130pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
140W
RoHS
ja
Td(fra)
20 ns
Td(on)
17 ns
Teknologi
SuperMESH™ Power MOSFET
Trr-diode (min.)
840 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4.5V
Vgs (th) min.
3V
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics