N-kanal transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

N-kanal transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V

Antal
Enhedspris
1-4
75.54kr
5-9
68.81kr
10-24
64.68kr
25+
61.45kr
Antal på lager: 18

N-kanal transistor TK20J50D, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.22 Ohms. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Spænding Vds (maks.): 500V. Afløbskildebeskyttelse: diode. Antal terminaler: 3. C (i): 2600pF. Funktion: Skift af regulatorapplikationer. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Id(imp): 80A. Kanaltype: N. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort. Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: K20J50D. Omkostninger): 280pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 280W. RoHS: ja. Td(fra): 150 ns. Td(on): 100 ns. Teknologi: Felteffekt POWER MOS-type (MOSVII). Temperatur: +150°C. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Originalt produkt fra producenten: Toshiba. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45

Teknisk dokumentation (PDF)
TK20J50D
29 parametre
ID (T=25°C)
20A
Idss (maks.)
10uA
On-resistance Rds On
0.22 Ohms
Hus
TO-3PN ( 2-16C1B )
Hus (i henhold til datablad)
TO-3P
Spænding Vds (maks.)
500V
Afløbskildebeskyttelse
diode
Antal terminaler
3
C (i)
2600pF
Funktion
Skift af regulatorapplikationer
GS-beskyttelse
ingen
Gate / kilde spænding Vgs
30 v
Id(imp)
80A
Kanaltype
N
Montering / installation
Gennemgående hulmontering af printkort
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
K20J50D
Omkostninger)
280pF
Pd (Strømafledning, maks.) )
280W
RoHS
ja
Td(fra)
150 ns
Td(on)
100 ns
Teknologi
Felteffekt POWER MOS-type (MOSVII)
Temperatur
+150°C
Trr-diode (min.)
1700 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs (th) maks.
4 v
Vgs (th) min.
2V
Originalt produkt fra producenten
Toshiba