N-kanal transistor TSM025NB04CR-RLG, PDFN56, 40V
Antal
Enhedspris
1+
60.17kr
| Antal på lager: 46 |
N-kanal transistor TSM025NB04CR-RLG, PDFN56, 40V. Hus: PDFN56. Hus (JEDEC-standard): -. Drain-source spænding Uds [V]: 40V. Antal terminaler: 8:1. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 7150pF. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Indkoblingstid ton [nsec.]: 8.4 ns. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Konfiguration: overflademonteret komponent (SMD). Maksimal dissipation Ptot [W]: 136W. Max temperatur: +175°C.. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Producentens mærkning: -. RoHS: ja. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 58 ns. Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C: 161A. Originalt produkt fra producenten: Taiwan Semiconductor. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
TSM025NB04CR-RLG
15 parametre
Hus
PDFN56
Drain-source spænding Uds [V]
40V
Antal terminaler
8:1
Ciss Gate Kapacitans [pF]
7150pF
Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0025 Ohm @ 24A
Indkoblingstid ton [nsec.]
8.4 ns
Komponentfamilie
MOSFET, N-MOS
Konfiguration
overflademonteret komponent (SMD)
Maksimal dissipation Ptot [W]
136W
Max temperatur
+175°C.
Portnedbrudsspænding Ugs [V]
4 v
RoHS
ja
Slukningsforsinkelse tf[nsec.]
58 ns
Tøm nuværende ID (A) @ 25 ° C
161A
Originalt produkt fra producenten
Taiwan Semiconductor