N-kanal transistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V
Antal
Enhedspris
1-4
27.93kr
5-49
24.18kr
50-99
21.39kr
100-199
18.97kr
200+
15.62kr
| Antal på lager: 66 |
N-kanal transistor VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 75uA. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Spænding Vds (maks.): 45V. Bemærk: serigrafi/SMD-kode S3NV04DP. IDss (min): 30uA. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Mærkning på kabinettet: S3NV04DP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Td(fra): 450 ns. Td(on): 90 ns. Teknologi: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Trr-diode (min.): 107ns. Type transistor: MOSFET. Originalt produkt fra producenten: Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
VNS3NV04DPTR-E
19 parametre
ID (T=25°C)
3.5A
Idss (maks.)
75uA
On-resistance Rds On
0.12 Ohms
Hus
SO
Hus (i henhold til datablad)
SO-8
Spænding Vds (maks.)
45V
Bemærk
serigrafi/SMD-kode S3NV04DP
IDss (min)
30uA
Kanaltype
N
Montering / installation
overflademonteret komponent (SMD)
Mængde pr tilfælde
1
Mærkning på kabinettet
S3NV04DP
Pd (Strømafledning, maks.) )
4W
Td(fra)
450 ns
Td(on)
90 ns
Teknologi
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
Trr-diode (min.)
107ns
Type transistor
MOSFET
Originalt produkt fra producenten
Stmicroelectronics