N-kanal transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB
Antal
Enhedspris
1-4
16.91kr
5-19
14.01kr
20-29
12.65kr
30-49
11.55kr
50-99
10.68kr
100+
10.36kr
| Antal på lager: 430 |
N-kanal transistor YJP130G10B, 100V, 0.0055 Ohms, TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.0055 Ohms. Hus: TO-220AB. Effekt: 260W. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 130A. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Yangjie Electronic Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
YJP130G10B
8 parametre
Drain-source spænding (Vds)
100V
On-resistance Rds On
0.0055 Ohms
Hus
TO-220AB
Effekt
260W
Kanaltype
N
Max drænstrøm
130A
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Yangjie Electronic Technology