N-kanal transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Antal
Enhedspris
1-9
14.73kr
10-19
11.83kr
20-29
10.82kr
30-49
9.87kr
50-149
9.12kr
150+
8.85kr
| Antal på lager: 369 |
N-kanal transistor YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Drain-source spænding (Vds): 60V. On-resistance Rds On: 0.0029 Ohms. Hus: TO-220AB. Effekt: 260W. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 200A. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Yangjie Electronic Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
YJP200G06A
8 parametre
Drain-source spænding (Vds)
60V
On-resistance Rds On
0.0029 Ohms
Hus
TO-220AB
Effekt
260W
Kanaltype
N
Max drænstrøm
200A
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Yangjie Electronic Technology