N-kanal transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms
Antal
Enhedspris
1-49
10.04kr
50+
10.04kr
| Udsolgt | |
| Lassen Sie sich per E-Mail benachrichtigen, wenn dieses Produkt wieder auf Lager ist! | |
N-kanal transistor YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Drain-source spænding (Vds): 100V. On-resistance Rds On: 0.0086 Ohms. Effekt: 125W. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 70A. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Originalt produkt fra producenten: Yangjie Electronic Technology. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45
YJP70G10A
7 parametre
Drain-source spænding (Vds)
100V
On-resistance Rds On
0.0086 Ohms
Effekt
125W
Kanaltype
N
Max drænstrøm
70A
Type transistor
MOSFET effekttransistor
Originalt produkt fra producenten
Yangjie Electronic Technology