N-kanal transistor ZXMN7A11GTA, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (maks.): 1uA. On-resistance Rds On: 0.13 Ohms. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Spænding Vds (maks.): 70V. Afløbskildebeskyttelse: ja. Antal terminaler: 3. C (i): 298pF. Driftstemperatur: -55...+150°C. Funktion: Højhastighedsskift. GS-beskyttelse: ingen. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. IDss (min): 0uA. Id(imp): 10A. Kanaltype: N. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD). Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 35pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja. Td(fra): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Teknologi: Enhancement Mode MOSFET. Trr-diode (min.): -. Type transistor: MOSFET. Vgs (th) maks.: -. Vgs (th) min.: 1V. Originalt produkt fra producenten: Diodes Inc. Antal på lager opdateret den 06/11/2025, 09:45