NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. C (i): 8pF. Omkostninger): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaxial Planar Die Construction . tf (maks.): 75 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning

NPN transistor, TO-92, 200mA, 40V, 0.2A. Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. Collector-Emitter Spænding VCEO: 40V. Kollektorstrøm: 0.2A. Producentens mærkning: 2N3904. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Effekt: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.6A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 40V. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. C (i): 30pF. Omkostninger): 6.5pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 0.9A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 30 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. C (i): 10pF. Omkostninger): 4pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Max hFE-forstærkning: 900. Minimum hFE-forstærkning: 300. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 35V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Funktion: HI-FI støjsvag forforstærker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.4A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 20V. Kollektorstrøm: 0.4A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.2GHz. Max hFE-forstærkning: 210. Minimum hFE-forstærkning: 70. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 4pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Funktion: HI-FI støjsvag forforstærker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, TO-92, 0.6A, TO-92, 160V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 0.6A. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-92. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 80. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 600mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5551. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 160V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor

NPN transistor, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Max hFE-forstærkning: 100. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 50A. Antal terminaler: 2. Temperatur: +200°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.8us. tf (min): 0.8us. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N5884. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N5886G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

NPN transistor, 12A, 100V. Kollektorstrøm: 12A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 750. bemærk: b>750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 5A, M135, 36V. Kollektorstrøm: 5A. Hus (i henhold til datablad): M135. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 175 MHz. Funktion: VHF-O Tr. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12W. Type transistor: NPN. Spec info: SD1012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 20A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-modstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Omkostninger): 400pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: hFE 750...180000. Max hFE-forstærkning: 18000. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 40A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. RoHS: ja . Vægt: 11.8g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6287. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Funktion: Forstærker og switching applikationer. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+165°C. vcbo: 90V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6491. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 90V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 90V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6491

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, 15mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15mA. RoHS: ja . Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2N6488G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.075W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 20. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: NPN epitaksial siliciumtransistor. Type transistor: NPN. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6520. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.6A, 50V. Kollektorstrøm: 0.6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning , TO-202, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-202. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 70V/45V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, 0.1A, 210V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 210V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 7.9W. Type transistor: NPN. Spec info: 8-726-720-00

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 700mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V/20V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V/40V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V/60V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , D35/B, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D35/B. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 0.5A, 50V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. bemærk: hFE 100..200. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: NPN. Spec info: komplementær transistor (par) 2SA673A