NPN bipolære transistorer

NPN transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Kollektorstrøm: 0.045A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. C (i): 0.64pF. Omkostninger): 0.23pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.28W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 15V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. BE-diode: NINCS. C (i): 1.2pF. Omkostninger): 0.6pF. CE-diode: NINCS. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: 5GHz bredbåndstransistor (UHF-A). Max hFE-forstærkning: 135. Minimum hFE-forstærkning: 65. bemærk: serigrafi/SMD-kode P2P. Mærkning på kabinettet: P2p. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 20V. Vebo: 2V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 45mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: Højfrekvent NPN -transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: GFs. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 15V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.28W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Kollektorstrøm: 35mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 12V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Konditionering: rulle. Konditioneringsenhed: 3000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 6GHz. Funktion: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 40. Mærkning på kabinettet: R2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Spec info: SMD R2. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 15V. Vebo: 2V

NPN transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-37 ( TO-50 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-37 ( TO-50 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5GHz. Funktion: RF forstærker op til GHz rækkevidde til antenneforstærker.. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 25. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 700W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Planar RF Transistor . Type transistor: NPN. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 15V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2.8GHz. Funktion: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 50mA. Mærkning på kabinettet: E2. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. vcbo: 25V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 450 MHz. Funktion: IF og VHF tyk- og tyndfilmskredsløb . Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 25mA. bemærk: serigrafi/SMD-kode G1p, G1t, G1W. Mærkning på kabinettet: G1*. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 30 v. Vebo: 4 v

NPN transistor, 0.2A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-A. Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 200mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: Højfrekvent NPN -transistor. Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BFU590G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 24V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 8.5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Spec info: komplementær transistor (par) BFV421. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-72. Hus (i henhold til datablad): TO-72. Kollektor/emitterspænding Vceo: 10V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1.6GHz. Funktion: VHF-UHF-A. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 100mA. Antal terminaler: 4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Hus: TO-50. Kollektorstrøm: 0.025A. Hus (i henhold til datablad): TO-50-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3.2GHz. Funktion: Bredbånds RF-forstærker op til GHz rækkevidde.. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 20. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Spec info: Planar RF Transistor . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN. vcbo: 25V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V

NPN transistor, 1A, 100V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF/S. bemærk: b>70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: NF/HF/S. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: NPN

NPN transistor, 1.25A, 50V. Kollektorstrøm: 1.25A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.07W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 1A, 36V. Kollektorstrøm: 1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 36V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 470 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7.8W. Type transistor: NPN

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 860 MHz. Funktion: UHF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Type transistor: NPN

NPN transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Smart High-Side Power Switch . Ækvivalenter: ISP452. RoHS: ja . Spec info: miniPROFET. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: NPN

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-261AA. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AS3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.8W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 8pF. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Mærkning på kabinettet: U8. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Spec info: serigrafi/CMS-kode U8. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U8. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: NPN-transistor . Hus (JEDEC-standard): TO-236. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: U8. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 300 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. C (i): 90pF. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Medium POWER, solenoide, relæ- og aktuatordrivere & DC/DC-moduler. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 35. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: AR4. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: serigrafi/SMD-kode AR4. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 90V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 1300 ns. tf (min): 500 ns. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V